KBU607G
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Technische Details KBU607G
Description: DIODE BRIDGE 6A 1000V KBU, Supplier Device Package: KBU, Package / Case: 4-SIP, KBU, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 1000V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A, Current - Average Rectified (Io): 6A, Voltage - Peak Reverse (Max): 1kV, Technology: Standard, Diode Type: Single Phase, Part Status: Active, Packaging: Tray.
Preis KBU607G ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE BRIDGE 6A 1000V KBU Supplier Device Package: KBU Package / Case: 4-SIP, KBU Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 1000V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A Current - Average Rectified (Io): 6A Voltage - Peak Reverse (Max): 1kV Technology: Standard Diode Type: Single Phase Part Status: Active Packaging: Tray |
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