KSD1616AGBU

KSD1616AGBU

Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
ksd1616a-d.pdf FAIR-S-A0000605148-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7
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Technische Details KSD1616AGBU

Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,, Transistor Type: NPN, Part Status: Active, Packaging: Bulk, Manufacturer: Fairchild Semiconductor, Supplier Device Package: TO-92-3, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Frequency - Transition: 160MHz, Power - Max: 750mW, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Current - Collector (Ic) (Max): 1A.

Preis KSD1616AGBU ab 0.12 EUR bis 1.21 EUR

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
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Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
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KSD1616AGBU
Hersteller: Rochester Electronics, LLC
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: Fairchild Semiconductor
Supplier Device Package: TO-92-3
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Frequency - Transition: 160MHz
Power - Max: 750mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
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KSD1616AGBU
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 1A TO92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Power - Max: 750 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 160MHz
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