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KSD1616AGBU

KSD1616AGBU ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
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Technische Details KSD1616AGBU ON Semiconductor

Description: ONSEMI - KSD1616AGBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 750mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-226AA, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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752+0.23 EUR
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KSD1616AGBU KSD1616AGBU ONSEMI KSD1616A.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.75W
Case: TO92
Current gain: 200...400
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 160MHz
Pulsed collector current: 2A
auf Bestellung 6509 Stücke:
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136+0.63 EUR
173+0.49 EUR
202+0.42 EUR
350+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
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213+0.82 EUR
335+0.51 EUR
569+0.29 EUR
752+0.21 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
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KSD1616AGBU KSD1616AGBU onsemi ksd1616a-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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KSD1616AGBU KSD1616AGBU onsemi ksd1616a-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
auf Bestellung 20518 Stücke:
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22+0.99 EUR
35+0.61 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
2000+0.24 EUR
5000+0.2 EUR
10000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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KSD1616AGBU KSD1616AGBU ON Semiconductor ksd1616a-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
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KSD1616AGBU KSD1616AGBU ONSEMI ksd1616a-d.pdf Description: ONSEMI - KSD1616AGBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 11263 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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auf Bestellung 10000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 525 Stücke
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Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.75W
Case: TO92
Current gain: 200...400
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 160MHz
Pulsed collector current: 2A
auf Bestellung 6509 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
136+0.63 EUR
173+0.49 EUR
202+0.42 EUR
350+0.24 EUR
500+0.18 EUR
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auf Bestellung 2538 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
213+0.82 EUR
335+0.51 EUR
569+0.29 EUR
752+0.21 EUR
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Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
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500+0.29 EUR
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
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Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD1616AGBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 11263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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