MAP6KE51CAe3
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Technische Details MAP6KE51CAe3
Description: TVS DIODE 43.6V 70.1V T-18, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Power Line Protection: No, Power - Peak Pulse: 600W, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.6A, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 70.1V, Voltage - Breakdown (Min): 48.5V, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 43.6V, Bidirectional Channels: 1, Type: Zener, Part Status: Active, Packaging: Bulk, Supplier Device Package: T-18, Package / Case: T-18, Axial, Mounting Type: Through Hole.
Preis MAP6KE51CAe3 ab 0 EUR bis 0 EUR
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MAP6KE51CAE3 Hersteller: Microchip Technology Description: TVS DIODE 43.6V 70.1V T-18 Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Power Line Protection: No Power - Peak Pulse: 600W Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.6A Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 70.1V Voltage - Breakdown (Min): 48.5V Voltage - Reverse Standoff (Typ): 43.6V Bidirectional Channels: 1 Type: Zener Part Status: Active Packaging: Bulk Supplier Device Package: T-18 Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole 
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