MBR12035CT

MBR12035CT

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 35V 120A 3-Pin Twin Tower
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Technische Details MBR12035CT

Description: DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER, Packaging: Bulk, Package / Case: Twin Tower, Mounting Type: Chassis Mount, Diode Type: Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC), Supplier Device Package: Twin Tower, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V.

Preis MBR12035CT ab 0 EUR bis 0 EUR

MBR12035CT
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 35V 120A Schottky Recovery
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MBR12035CT
MBR12035CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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