MBR12035CT
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Technische Details MBR12035CT
Description: DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER, Packaging: Bulk, Package / Case: Twin Tower, Mounting Type: Chassis Mount, Diode Type: Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC), Supplier Device Package: Twin Tower, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V.
Preis MBR12035CT ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: GeneSiC Semiconductor Discrete Semiconductor Modules 35V 120A Schottky Recovery 
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 Hersteller: GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Diode Type: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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