MBR200100CTS

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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 100V 200A 4-Pin SOT-227
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Technische Details MBR200100CTS

Description: DIODE MODULE 100V 200A SOT227, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 80 V, Diode Configuration: 2 Independent, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Diode Type: Schottky, Mounting Type: Screw Mount, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 100 A, Package / Case: SOT-227-4, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Part Status: Obsolete, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Supplier Device Package: SOT-227, Packaging: Tube, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC).

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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 100V 200A
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Description: DIODE MODULE 100V 200A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 80 V
Diode Configuration: 2 Independent
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Screw Mount
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 100 A
Package / Case: SOT-227-4
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Packaging: Tube
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
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