MBR200100CTS
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Technische Details MBR200100CTS
Description: DIODE MODULE 100V 200A SOT227, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 80 V, Diode Configuration: 2 Independent, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Diode Type: Schottky, Mounting Type: Screw Mount, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 100 A, Package / Case: SOT-227-4, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Part Status: Obsolete, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Supplier Device Package: SOT-227, Packaging: Tube, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC).
Preis MBR200100CTS ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: GeneSiC Semiconductor Discrete Semiconductor Modules 100V 200A 
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auf Bestellung 5 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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MBR200100CTS Hersteller: GeneSiC Semiconductor Rectifier Diode Schottky 100V 200A 4-Pin SOT-227
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 Hersteller: GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 100V 200A SOT227 Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 80 V Diode Configuration: 2 Independent Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Diode Type: Schottky Mounting Type: Screw Mount Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 100 A Package / Case: SOT-227-4 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Part Status: Obsolete Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOT-227 Packaging: Tube Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
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