MBR35100 GeneSiC Semiconductor
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|---|---|
| 2+ | 42.69 EUR |
| 10+ | 36.27 EUR |
| 25+ | 34.01 EUR |
| 100+ | 30.89 EUR |
| 250+ | 30.73 EUR |
| 500+ | 30 EUR |
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Technische Details MBR35100 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 35A DO4, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 35A, Supplier Device Package: DO-4, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 35 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| MBR35100 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
 Rectifier Diode Schottky 100V 35A 2-Pin DO-4 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MBR35100 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 35A DO4 Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 35A Supplier Device Package: DO-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 35 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V |
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