MMBT4354
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Technische Details MMBT4354
Description: TRANS PNP 60V 0.8A SOT23, Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 350 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SOT-23-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ).
Preis MMBT4354 ab 0 EUR bis 0 EUR
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MMBT4354 Hersteller: 
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36000 Stücke |
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 Hersteller: onsemi / Fairchild Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
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 Hersteller: onsemi Description: TRANS PNP 60V 0.8A SOT23 Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 350 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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 Hersteller: Fairchild Semiconductor Description: 0.8A, 60V, PNP Power - Max: 350 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk
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Hersteller: onsemi Description: TRANS PNP 60V 0.8A SOT23 Power - Max: 350 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT)
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 Hersteller: onsemi Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Power - Max: 350 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP
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