MPLAD15KP51CAE3 Microsemi HI-REL [MIL]
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Technische Details MPLAD15KP51CAE3 Microsemi HI-REL [MIL]
Category: Bidirectional SMD transil diodes, Description: Diode: TVS; 15kW; 56.7÷62.7V; 183A; bidirectional; PLAD, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 15kW, Max. off-state voltage: 51V, Breakdown voltage: 56.7...62.7V, Max. forward impulse current: 183A, Semiconductor structure: bidirectional, Case: PLAD, Mounting: SMD, Leakage current: 10µA, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote MPLAD15KP51CAE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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MPLAD15KP51CAE3 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: Bidirectional SMD transil diodesDescription: Diode: TVS; 15kW; 56.7÷62.7V; 183A; bidirectional; PLAD Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 15kW Max. off-state voltage: 51V Breakdown voltage: 56.7...62.7V Max. forward impulse current: 183A Semiconductor structure: bidirectional Case: PLAD Mounting: SMD Leakage current: 10µA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| MPLAD15KP51CAE3 | Hersteller : Microchip / Microsemi |
ESD Suppressors / TVS Diodes TVS |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MPLAD15KP51CAE3 | Hersteller : Microchip Technology |
ESD Suppressors / TVS Diodes TVS |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MPLAD15KP51CAE3 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Bidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 15kW; 56.7÷62.7V; 183A; bidirectional; PLAD Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 15kW Max. off-state voltage: 51V Breakdown voltage: 56.7...62.7V Max. forward impulse current: 183A Semiconductor structure: bidirectional Case: PLAD Mounting: SMD Leakage current: 10µA |
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