MSC025SMA120B MICROCHIP (MICROSEMI)
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 275A; 500W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 275A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 232nC
Kind of channel: enhanced
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Technische Details MSC025SMA120B MICROCHIP (MICROSEMI)
Description: MICROCHIP - MSC025SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 103A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote MSC025SMA120B nach Preis ab 44.23 EUR bis 97.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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MSC025SMA120B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 275A; 500W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 73A Pulsed drain current: 275A Power dissipation: 500W Case: TO247-3 On-state resistance: 31mΩ Mounting: THT Gate charge: 232nC Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSC025SMA120B | Hersteller : Microsemi |
SiC MOSFETs |
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MSC025SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
SiC MOSFETs Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSC025SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
Description: SICFET N-CH 1.2KV 103A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 1000 V |
auf Bestellung 102 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MSC025SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247 |
auf Bestellung 214 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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MSC025SMA120B | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC025SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 103A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSC025SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
SiC MOSFETs Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MSC025SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
SiC MOSFETs |
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MSC025SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
SiC MOSFETs Automotive AEC-Q101 |
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