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Technische Details MSC025SMA120B Microsemi
Description: MICROCHIP - MSC025SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 103A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote MSC025SMA120B nach Preis ab 57.99 EUR bis 95.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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MSC025SMA120B | Microchip Technology |
 SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247 |
auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MSC025SMA120B | Microchip Technology |
Description: SICFET N-CH 1.2KV 103A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 1000 V |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MSC025SMA120B | Microchip Technology |
SiC MOSFETs Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSC025SMA120B | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC025SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 103A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSC025SMA120B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 275A; 500W Power dissipation: 500W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate charge: 232nC Polarisation: unipolar Technology: SiC Drain current: 73A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Family: SMA On-state resistance: 31mΩ Manufacturer standard package: 30pcs. Pulsed drain current: 275A |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MSC025SMA120B |
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Hersteller: Microchip Technology
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 72.28 EUR |
| 10+ | 66.66 EUR |
| 120+ | 57.99 EUR |
| MSC025SMA120B |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: SICFET N-CH 1.2KV 103A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 1000 V
Description: SICFET N-CH 1.2KV 103A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 1000 V
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 73.66 EUR |
| MSC025SMA120B |
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Hersteller: Microchip Technology
SiC MOSFETs Automotive AEC-Q101
SiC MOSFETs Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 89.17 EUR |
| MSC025SMA120B |
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Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC025SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: MICROCHIP - MSC025SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 95.71 EUR |
| 25+ | 87.08 EUR |
| MSC025SMA120B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 275A; 500W
Power dissipation: 500W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 232nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 73A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Family: SMA
On-state resistance: 31mΩ
Manufacturer standard package: 30pcs.
Pulsed drain current: 275A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 275A; 500W
Power dissipation: 500W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 232nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 73A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Family: SMA
On-state resistance: 31mΩ
Manufacturer standard package: 30pcs.
Pulsed drain current: 275A
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)