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| Anzahl | Preis |
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| 3+ | 58.54 EUR |
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Technische Details MSC025SMA120B Microsemi
Description: MICROCHIP - MSC025SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 103A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote MSC025SMA120B nach Preis ab 44.73 EUR bis 73.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MSC025SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
 Description: SICFET N-CH 1.2KV 103A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 1000 V |
auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MSC025SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247 |
auf Bestellung 194 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MSC025SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
SiC MOSFETs Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSC025SMA120B | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC025SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 103A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MSC025SMA120B | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
MSC025SMA120B THT N channel transistors |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MSC025SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
SiC MOSFETs Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MSC025SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
SiC MOSFETs |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MSC025SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
SiC MOSFETs Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |