MSC025SMA120S Microsemi
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Technische Details MSC025SMA120S Microsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 222A; 370W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 63A, Pulsed drain current: 222A, Power dissipation: 370W, Case: D3PAK, On-state resistance: 31mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 232nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote MSC025SMA120S nach Preis ab 73.83 EUR bis 99.29 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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MSC025SMA120S | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSC025SMA120S | Hersteller : Microchip Technology |
Description: SICFET N-CH 1.2KV 100A D3PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc) Supplier Device Package: D3Pak Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V |
auf Bestellung 132 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MSC025SMA120S | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-268 |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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MSC025SMA120S | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube |
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MSC025SMA120S | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A Automotive 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MSC025SMA120S | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 222A; 370W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 63A Pulsed drain current: 222A Power dissipation: 370W Case: D3PAK On-state resistance: 31mΩ Mounting: SMD Gate charge: 232nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MSC025SMA120S | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 222A; 370W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 63A Pulsed drain current: 222A Power dissipation: 370W Case: D3PAK On-state resistance: 31mΩ Mounting: SMD Gate charge: 232nC Kind of channel: enhanced |
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