MSC030SDA070B Microchip Technology
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Technische Details MSC030SDA070B Microchip Technology
Description: DIODE SIL CARBIDE 700V 60A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 60A, Supplier Device Package: TO-247, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 700 V.
Weitere Produktangebote MSC030SDA070B nach Preis ab 8.01 EUR bis 14.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||
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MSC030SDA070B | Hersteller : Microchip Technology |
 Description: DIODE SIL CARBIDE 700V 60A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 60A Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 700 V |
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| MSC030SDA070B | Hersteller : Microchip Technology |
Zero Recovery Silicon Carbide Schottky Dual Diode |
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| MSC030SDA070B | Hersteller : Microchip Technology |
Zero Recovery Silicon Carbide Schottky Dual Diode |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MSC030SDA070B | Hersteller : Microsemi |
MSC030SDA070B |
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| MSC030SDA070B | Hersteller : Microchip Technology |
Zero Recovery Silicon Carbide Schottky Dual Diode |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MSC030SDA070B | Hersteller : Microchip Technology |
UNRLS, FG, GEN2, SIC SBD, TO-247 |
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MSC030SDA070B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 700V; 30A; 81W; TO247-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 700V Load current: 30A Power dissipation: 81W Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward impulse current: 148A Max. forward voltage: 1.75V Leakage current: 10µA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MSC030SDA070B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 700V; 30A; 81W; TO247-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 700V Load current: 30A Power dissipation: 81W Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward impulse current: 148A Max. forward voltage: 1.75V Leakage current: 10µA |
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