MSC750SMA170B MICROCHIP (MICROSEMI)
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 12A; 68W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 68W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 1.7kV
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 940mΩ
Pulsed drain current: 12A
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details MSC750SMA170B MICROCHIP (MICROSEMI)
Description: MICROCHIP - MSC750SMA170B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7 A, 1.7 kV, 0.75 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.25V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote MSC750SMA170B nach Preis ab 5.88 EUR bis 13.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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MSC750SMA170B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 12A; 68W Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 68W Gate charge: 18nC Polarisation: unipolar Technology: SiC Drain current: 5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 1.7kV Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 940mΩ Pulsed drain current: 12A |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSC750SMA170B | Hersteller : Microchip Technology |
Description: SICFET N-CH 1700V 7A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 2.5A, 20V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.25V @ 100µA (Typ) Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184 pF @ 1360 V |
auf Bestellung 262 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MSC750SMA170B | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-247 |
auf Bestellung 344 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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MSC750SMA170B | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC750SMA170B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7 A, 1.7 kV, 0.75 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.25V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSC750SMA170B | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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