Technische Details MSC750SMA170B Microchip Technology
Description: MICROCHIP - MSC750SMA170B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7 A, 1.7 kV, 0.75 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.25V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Weitere Produktangebote MSC750SMA170B nach Preis ab 8.02 EUR bis 10 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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MSC750SMA170B | Microchip Technology |
 Description: SICFET N-CH 1700V 7A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 2.5A, 20V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.25V @ 100µA (Typ) Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184 pF @ 1360 V |
auf Bestellung 805 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MSC750SMA170B | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC750SMA170B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7 A, 1.7 kV, 0.75 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.25V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MSC750SMA170B |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: SICFET N-CH 1700V 7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 2.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.25V @ 100µA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184 pF @ 1360 V
Description: SICFET N-CH 1700V 7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 2.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.25V @ 100µA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184 pF @ 1360 V
auf Bestellung 805 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 3+ | 10 EUR |
| 25+ | 9.21 EUR |
| 100+ | 8.02 EUR |
| MSC750SMA170B |
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Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC750SMA170B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7 A, 1.7 kV, 0.75 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.25V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: MICROCHIP - MSC750SMA170B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7 A, 1.7 kV, 0.75 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.25V
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euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)