MSCSM120DAM11CT3AG Microchip Technology
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 415.43 EUR |
10+ | 415.36 EUR |
25+ | 385.3 EUR |
100+ | 370.25 EUR |
250+ | 363.86 EUR |
500+ | 349.24 EUR |
1000+ | 348.9 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MSCSM120DAM11CT3AG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 202A; SP3F; Press-in PCB, Case: SP3F, Pulsed drain current: 500A, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 202A, On-state resistance: 10.4mΩ, Power dissipation: 1067W, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: SiC, Topology: boost chopper; NTC thermistor, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote MSCSM120DAM11CT3AG nach Preis ab 423.74 EUR bis 423.74 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MSCSM120DAM11CT3AG | Hersteller : Microchip Technology |
Description: PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F Packaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Type: MOSFET Configuration: 1 Phase Voltage - Isolation: 4000Vrms Current: 254 A Voltage: 1.2 kV |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||
MSCSM120DAM11CT3AG | Hersteller : Microchip Technology | Boost Chopper Sic Mosfet Power Module |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||
MSCSM120DAM11CT3AG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 202A; SP3F; Press-in PCB Case: SP3F Pulsed drain current: 500A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 202A On-state resistance: 10.4mΩ Power dissipation: 1067W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Topology: boost chopper; NTC thermistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||
MSCSM120DAM11CT3AG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 202A; SP3F; Press-in PCB Case: SP3F Pulsed drain current: 500A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 202A On-state resistance: 10.4mΩ Power dissipation: 1067W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Topology: boost chopper; NTC thermistor |
Produkt ist nicht verfügbar |