MSCSM120DAM11CT3AG Microchip Technology
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Technische Details MSCSM120DAM11CT3AG Microchip Technology
Category: Transistor modules, Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 202A; SP3F; Press-in PCB, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 202A, Case: SP3F, Topology: boost chopper; NTC thermistor, Electrical mounting: Press-in PCB, On-state resistance: 10.4mΩ, Pulsed drain current: 500A, Power dissipation: 1067W, Technology: SiC, Mechanical mounting: screw.
Weitere Produktangebote MSCSM120DAM11CT3AG nach Preis ab 504.25 EUR bis 504.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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MSCSM120DAM11CT3AG | Microchip Technology |
 Description: PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3FPackaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Type: MOSFET Configuration: 1 Phase Voltage - Isolation: 4000Vrms Current: 254 A Voltage: 1.2 kV |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MSCSM120DAM11CT3AG |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
Packaging: Tube
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Type: MOSFET
Configuration: 1 Phase
Voltage - Isolation: 4000Vrms
Current: 254 A
Voltage: 1.2 kV
Description: PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
Packaging: Tube
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Type: MOSFET
Configuration: 1 Phase
Voltage - Isolation: 4000Vrms
Current: 254 A
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