MSCSM70AM19CT1AG Microchip Technology
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Technische Details MSCSM70AM19CT1AG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 700V; 98A; SP1F; Press-in PCB; 365W, Technology: SiC, Drain-source voltage: 700V, Drain current: 98A, Pulsed drain current: 250A, Power dissipation: 365W, Case: SP1F, On-state resistance: 19mΩ, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Electrical mounting: Press-in PCB, Topology: MOSFET half-bridge + parrallel diodes; NTC thermistor, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote MSCSM70AM19CT1AG
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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MSCSM70AM19CT1AG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 700V; 98A; SP1F; Press-in PCB; 365W Technology: SiC Drain-source voltage: 700V Drain current: 98A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 365W Case: SP1F On-state resistance: 19mΩ Semiconductor structure: SiC diode/transistor Electrical mounting: Press-in PCB Topology: MOSFET half-bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MSCSM70AM19CT1AG | Hersteller : Microchip Technology / Atmel | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP1F |
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MSCSM70AM19CT1AG | Hersteller : Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP1F |
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MSCSM70AM19CT1AG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 700V; 98A; SP1F; Press-in PCB; 365W Technology: SiC Drain-source voltage: 700V Drain current: 98A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 365W Case: SP1F On-state resistance: 19mΩ Semiconductor structure: SiC diode/transistor Electrical mounting: Press-in PCB Topology: MOSFET half-bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
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