MUR10020CT

MUR10020CT GeneSiC Semiconductor


mur10020ct-2452452.pdf Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A200P/140R
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Technische Details MUR10020CT GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER, Packaging: Bulk, Package / Case: Twin Tower, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A, Supplier Device Package: Twin Tower, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V.

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