MUR10020CT GeneSiC Semiconductor
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Technische Details MUR10020CT GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER, Packaging: Bulk, Package / Case: Twin Tower, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A, Supplier Device Package: Twin Tower, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| MUR10020CT | Hersteller : IXYS |
 MODULE |
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| MUR10020CT | Hersteller : IXYS |
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auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| MUR10020CT | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 200V 100A 75ns 3-Pin Twin Tower |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MUR10020CT | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
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