MUR20020CTR

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Hersteller: MOTOROLA

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Technische Details MUR20020CTR

Description: DIODE MODULE 200V 200A 2TOWER, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: Twin Tower, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A, Diode Configuration: 1 Pair Common Anode, Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Diode Type: Schottky, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Twin Tower, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V.

Preis MUR20020CTR ab 0 EUR bis 0 EUR

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200 Stücke
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MUR20020CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 200V 200A Super Fast Recovery
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MUR20020CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 200V 200A 2TOWER
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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