NTE107

NTE107

Hersteller: NTE Electronics
Material: NTE107 NPN THT transistors
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Technische Details NTE107

Description: RF TRANS NPN 12V 2.1GHZ TO92, Supplier Device Package: TO-92, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 100°C (TJ), Current - Collector (Ic) (Max): 25mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V, Power - Max: 200mW, Noise Figure (dB Typ @ f): 6.5dB @ 60MHz, Frequency - Transition: 2.1GHz, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Transistor Type: NPN, Part Status: Active, Packaging: Bag.

Preis NTE107 ab 1.3 EUR bis 1.83 EUR

NTE107
NTE107
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE107 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 12V, TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 75
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 200
Übergangsfrequenz ft: 2.1
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 100
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
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NTE107
Hersteller: NTE Electronics
Material: NTE107 NPN THT transistors
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NTE107
Hersteller: NTE Electronics, Inc.
Trans RF BJT NPN 12V 0.025A 200mW 3-Pin TO-92
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NTE107
NTE107
Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: RF TRANS NPN 12V 2.1GHZ TO92
Supplier Device Package: TO-92
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 100°C (TJ)
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V
Power - Max: 200mW
Noise Figure (dB Typ @ f): 6.5dB @ 60MHz
Frequency - Transition: 2.1GHz
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
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