NTE108

NTE108

Hersteller: NTE Electronics, Inc.
Trans RF BJT NPN 15V 0.05A 3-Pin TO-92
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Technische Details NTE108

Description: RF TRANS NPN 15V 600MHZ TO92, Packaging: Bag, Part Status: Active, Transistor Type: NPN, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frequency - Transition: 600MHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Gain: 15dB, Power - Max: 625mW, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Supplier Device Package: TO-92.

Preis NTE108 ab 1.32 EUR bis 1.93 EUR

NTE108
Hersteller: NTE Electronics
Material: NTE108 NPN THT transistors
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NTE108
NTE108
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE108 - RF TRANSISTOR, NPN 15V 600MHZ TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 20
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 625
Übergangsfrequenz ft: 600
Bauform - HF-Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 15
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
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NTE108
Hersteller: NTE Electronics
Material: NTE108 NPN THT transistors
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NTE108
Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: RF TRANS NPN 15V 600MHZ TO92
Packaging: Bag
Part Status: Active
Transistor Type: NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Frequency - Transition: 600MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz
Gain: 15dB
Power - Max: 625mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Supplier Device Package: TO-92
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