NTE130

NTE130

Hersteller: NTE Electronics
Material: NTE130 NPN THT transistors
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Technische Details NTE130

Description: TRANS NPN 60V 15A TO3, Supplier Device Package: TO-3, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Frequency - Transition: 2.5MHz, Power - Max: 115W, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V, Current - Collector Cutoff (Max): 700µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Current - Collector (Ic) (Max): 15A, Transistor Type: NPN, Part Status: Active, Packaging: Bag, Manufacturer: NTE Electronics, Inc.

Preis NTE130 ab 2.7 EUR bis 3.78 EUR

NTE130
Hersteller: NTE Electronics
Material: NTE130 NPN THT transistors
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Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE130 - POWER TRANSISTOR, NPN, 60V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 70
Verlustleistung Pd: 115
Übergangsfrequenz ft: 2.5
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 15
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
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NTE130
Hersteller: NTE Electronics, Inc.
Trans GP BJT NPN 60V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3
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NTE130
NTE130
Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 60V 15A TO3
Supplier Device Package: TO-3
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition: 2.5MHz
Power - Max: 115W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 15A
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Bag
Manufacturer: NTE Electronics, Inc
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