NTE185

NTE185

Hersteller: NTE Electronics, Inc.
Trans GP BJT PNP 80V 4A 3-Pin TO-126
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Technische Details NTE185

Description: TRANS PNP 80V 4A TO126, Frequency - Transition: 2MHz, Power - Max: 40W, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V, Current - Collector (Ic) (Max): 4A, Transistor Type: PNP, Part Status: Active, Packaging: Bag, Manufacturer: NTE Electronics, Inc, Supplier Device Package: TO-126, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ).

Preis NTE185 ab 1.07 EUR bis 1.77 EUR

NTE185
Hersteller: NTE Electronics
Material: NTE185 PNP THT transistors
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Hersteller: NTE Electronics
Material: NTE185 PNP THT transistors
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NTE185
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE185 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -80V TO-126
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 80
Verlustleistung Pd: 40
Übergangsfrequenz ft: 2
Bauform - Transistor: TO-126
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
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NTE185
NTE185
Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS PNP 80V 4A TO126
Frequency - Transition: 2MHz
Power - Max: 40W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 4A
Transistor Type: PNP
Part Status: Active
Packaging: Bag
Manufacturer: NTE Electronics, Inc
Supplier Device Package: TO-126
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
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