NTE3031 NTE Electronics
Hersteller: NTE ElectronicsCategory: Phototransistors
Description: Phototransistor; 4.67mm; 30V; Front: flat; 150mW; 6us
Type of photoelement: phototransistor
LED diameter: 4.67mm
Collector-emitter voltage: 30V
Mounting: THT
Dark current: 0.1µA
Front: flat
Power: 0.15W
Turn-on time: 6µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 8+ | 9.08 EUR |
| 25+ | 8.88 EUR |
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Technische Details NTE3031 NTE Electronics
Category: Phototransistors, Description: Phototransistor; 4.67mm; 30V; Front: flat; 150mW; 6us, Type of photoelement: phototransistor, LED diameter: 4.67mm, Collector-emitter voltage: 30V, Mounting: THT, Dark current: 0.1µA, Front: flat, Power: 0.15W, Turn-on time: 6µs, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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NTE3031 | Hersteller : NTE Electronics |
Category: Phototransistors Description: Phototransistor; 4.67mm; 30V; Front: flat; 150mW; 6us Type of photoelement: phototransistor LED diameter: 4.67mm Collector-emitter voltage: 30V Mounting: THT Dark current: 0.1µA Front: flat Power: 0.15W Turn-on time: 6µs |
auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE3031 | Hersteller : NTE Electronics, Inc |
Description: NPN SI PHOTO/IR DETECT. Packaging: Bag Package / Case: Radial - 3 Leads Mounting Type: Through Hole Orientation: Top View Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Current - Dark (Id) (Max): 100 nA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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