NTE3031 NTE Electronics, Inc
Hersteller: NTE Electronics, IncDescription: NPN SI PHOTO/IR DETECT.
Packaging: Bag
Package / Case: Radial - 3 Leads
Mounting Type: Through Hole
Orientation: Top View
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Current - Dark (Id) (Max): 100 nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 20.59 EUR |
| 10+ | 19.57 EUR |
| 20+ | 18.53 EUR |
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Technische Details NTE3031 NTE Electronics, Inc
Category: Phototransistors, Description: Phototransistor; THT; 150mW; 4.67mm; 30V; Front: flat; 6us, Mounting: THT, Type of photoelement: phototransistor, Dark current: 0.1µA, Turn-on time: 6µs, LED diameter: 4.67mm, Power: 0.15W, Collector-emitter voltage: 30V, Front: flat, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote NTE3031
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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NTE3031 | Hersteller : NTE Electronics |
Category: Phototransistors Description: Phototransistor; THT; 150mW; 4.67mm; 30V; Front: flat; 6us Mounting: THT Type of photoelement: phototransistor Dark current: 0.1µA Turn-on time: 6µs LED diameter: 4.67mm Power: 0.15W Collector-emitter voltage: 30V Front: flat Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NTE3031 | Hersteller : NTE Electronics |
Category: Phototransistors Description: Phototransistor; THT; 150mW; 4.67mm; 30V; Front: flat; 6us Mounting: THT Type of photoelement: phototransistor Dark current: 0.1µA Turn-on time: 6µs LED diameter: 4.67mm Power: 0.15W Collector-emitter voltage: 30V Front: flat |
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