NX3008PBK,215
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Technische Details
Description: MOSFET P-CH 30V TO-236AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Supplier Device Package: TO-236AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 15V, Vgs (Max): ±8V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V.
Preis ab 0.076 EUR bis 0.79 EUR
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NX3008PBK,215 Hersteller: Nexperia Trans MOSFET P-CH 30V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R 
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auf Bestellung 8382 Stücke  Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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 Hersteller: Nexperia MOSFET 30V 230 MA P-CH TRENCH MOSFET
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auf Bestellung 11292 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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NX3008PBK,215 Hersteller: NEXPERIA Material: NX3008PBK.215 SMD P channel transistors
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 Hersteller: NEXPERIA Description: NEXPERIA - NX3008PBK,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 230 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: - Verlustleistung Pd: 350 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 900 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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3570 Stücke |
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Hersteller: NEXPERIA Description: NEXPERIA - NX3008PBK,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 230 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: - Verlustleistung Pd: 350 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 900 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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3600 Stücke |
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 Hersteller: NEXPERIA Trans MOSFET P-CH 30V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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4000 Stücke |
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NX3008PBK,215 Hersteller: NEXPERIA Material: NX3008PBK.215 SMD P channel transistors
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NX3008PBK,215 Hersteller: Nexperia Trans MOSFET P-CH 30V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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NX3008PBK,215 Hersteller: Nexperia Trans MOSFET P-CH 30V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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 Hersteller: Rochester Electronics, LLC Description: NOW NEXPERIA NX3008PBK - SMALL S Packaging: Bulk Part Status: Active FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 15V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Manufacturer: NXP USA Inc.
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 Hersteller: Nexperia USA Inc. Description: MOSFET P-CH 30V TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Supplier Device Package: TO-236AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 15V Vgs (Max): ±8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V
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auf Bestellung 34450 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Nexperia USA Inc. Description: MOSFET P-CH 30V 230MA TO236AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc)
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Hersteller: Nexperia USA Inc. Description: MOSFET P-CH 30V 230MA TO236AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
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