PBLS4003Y,115 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details PBLS4003Y,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PBLS4003Y,115 - Bipolares Transistor-Array, Leistungsschalter, BISS, NPN, PNP, 40 V, 40 V, 500 mA, 500 mA, 200 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 200mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA, Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 200mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote PBLS4003Y,115 nach Preis ab 0.15 EUR bis 0.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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PBLS4003Y,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V Frequency - Transition: 300MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active |
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PBLS4003Y,115 | Hersteller : Nexperia |
Digital Transistors 40 V 500 mA PNP/NPN loadswitch double transistor |
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PBLS4003Y,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBLS4003Y,115 - Bipolares Transistor-Array, Leistungsschalter, BISS, NPN, PNP, 40 V, 40 V, 500 mA, 500 mA, 200 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: -MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 200mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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PBLS4003Y,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBLS4003Y,115 - Bipolares Transistor-Array, Leistungsschalter, BISS, NPN, PNP, 40 V, 40 V, 500 mA, 500 mA, 200 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: -MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 200mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBLS4003Y,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PBLS4003Y,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A/0.5A 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |