PBRP113ZT,215 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 40V SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 6mA, 600mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 230 @ 300mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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Technische Details PBRP113ZT,215 NXP USA Inc.
Description: NEXPERIA - PBRP113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 40 V, 600 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 190hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 570mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote PBRP113ZT,215 nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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PBRP113ZT,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 40V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 6mA, 600mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 230 @ 300mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
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PBRP113ZT,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 40V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 6mA, 600mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 230 @ 300mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
auf Bestellung 4871 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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PBRP113ZT,215 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - Pre-Biased PBRP113ZT/SOT23/TO-236AB |
auf Bestellung 8710 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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PBRP113ZT,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBRP113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 40 V, 600 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 190hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 570mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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PBRP113ZT,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBRP113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 40 V, 600 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 190hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 570mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 861 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBRP113ZT,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBRP113ZT,215 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBRP113ZT,215 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - PBRP113ZT,215 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBRP113ZT,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans Digital BJT PNP 40V 600mA 370mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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PBRP113ZT,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans Digital BJT PNP 40V 800mA 570mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PBRP113ZT,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 40V; 0.6A; 370mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 190...320 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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PBRP113ZT,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 40V; 0.6A; 370mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 190...320 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ |
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