PDTA115EE,115

Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
Technische Details PDTA115EE,115
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Supplier Device Package: SC-75, Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Power - Max: 150mW, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, Packaging: Bulk, Manufacturer: Rochester Electronics, LLC, Base Part Number: PDTA11, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V, Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms, Resistor - Base (R1): 100 kOhms, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 20mA, Part Status: Obsolete, Transistor Type: PNP - Pre-Biased.
Preis PDTA115EE,115 ab 0 EUR bis 0 EUR
PDTA115EE,115 Hersteller: PDTA115EE TRANS PNP W/RES 50V SOT-416 ![]() |
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
PDTA115EE,115 Hersteller: NXP USA Inc. Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Supplier Device Package: SC-75 Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Power - Max: 150mW Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Packaging: Bulk Manufacturer: Rochester Electronics, LLC Base Part Number: PDTA11 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Resistor - Base (R1): 100 kOhms Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Part Status: Obsolete Transistor Type: PNP - Pre-Biased ![]() |
auf Bestellung 96437 Stücke ![]() Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|
PDTA115EE,115 Hersteller: Rochester Electronics, LLC Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete Transistor Type: PNP - Pre-Biased Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Power - Max: 150mW Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Supplier Device Package: SC-75 ![]() |
auf Bestellung 96437 Stücke ![]() Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|
PDTA115EE,115 Hersteller: NXP USA Inc. Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete Transistor Type: PNP - Pre-Biased Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Power - Max: 150mW Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Supplier Device Package: SC-75 ![]() |
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
PDTA115EE,115 Hersteller: NXP USA Inc. Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Obsolete Transistor Type: PNP - Pre-Biased Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Power - Max: 150mW Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Supplier Device Package: SC-75 ![]() |
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|