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Technische Details PDTA123ETVL Nexperia
Description: NEXPERIA - PDTA123ETVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTA123E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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PDTA123ETVL | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: TRANS PREBIAS PNP TO236ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
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PDTA123ETVL | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA123ETVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V |
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PDTA123ETVL | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA123ETVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V |
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PDTA123ETVL | Hersteller : NEXPERIA |
PNP Resistor-Equipped Transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PDTA123ETVL | Hersteller : Nexperia |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PDTA123ETVL | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q100 |
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