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PDTA123ETVL

PDTA123ETVL Nexperia


2970pdta123e_series.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details PDTA123ETVL Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTA123ETVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTA123E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PDTA123ETVL PDTA123ETVL Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTA123E_SERIES.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
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1000+0.056 EUR
2000+0.049 EUR
5000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 77
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PDTA123ETVL PDTA123ETVL Hersteller : Nexperia PDTA123E_SERIES.pdf Digital Transistors PNP resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kohm, R2 = 2.2 kohm
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22+0.13 EUR
100+0.083 EUR
500+0.062 EUR
1000+0.049 EUR
2500+0.048 EUR
5000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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PDTA123ETVL PDTA123ETVL Hersteller : NEXPERIA PDTA123E_SERIES.pdf Description: NEXPERIA - PDTA123ETVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8135 Stücke:
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PDTA123ETVL PDTA123ETVL Hersteller : NEXPERIA PDTA123E_SERIES.pdf Description: NEXPERIA - PDTA123ETVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8135 Stücke:
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PDTA123ETVL PDTA123ETVL Hersteller : NEXPERIA 182641759976792pdta123e_series.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_thir.pdfcidbrand_nxpd.pdf PNP Resistor-Equipped Transistors
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PDTA123ETVL PDTA123ETVL Hersteller : Nexperia 2970pdta123e_series.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PDTA123ETVL PDTA123ETVL Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTA123E_SERIES.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
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