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PMBTA06,215

PMBTA06,215 Nexperia

pmbta06.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PMBTA06,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PMBTA06,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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PMBTA06,215 PMBTA06,215 Hersteller : Nexperia pmbta06.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PMBTA06,215 PMBTA06,215 Hersteller : NXP USA Inc. PMBTA06.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO236AB
Packaging: Bulk
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PMBTA06,215 PMBTA06,215 Hersteller : NEXPERIA PMBTA06.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Pulsed collector current: 1A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1355 Stücke:
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PMBTA06,215 PMBTA06,215 Hersteller : NEXPERIA PMBTA06.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Pulsed collector current: 1A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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PMBTA06,215 PMBTA06,215 Hersteller : Nexperia pmbta06.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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6000+ 0.025 EUR
15000+ 0.022 EUR
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PMBTA06,215 PMBTA06,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PMBTA06.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
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3000+0.087 EUR
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30000+ 0.066 EUR
75000+ 0.059 EUR
150000+ 0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
PMBTA06,215 PMBTA06,215 Hersteller : Nexperia pmbta06.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2771+ 0.05 EUR
2794+ 0.048 EUR
2833+ 0.045 EUR
4902+ 0.025 EUR
5155+ 0.024 EUR
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Mindestbestellmenge: 807
PMBTA06,215 PMBTA06,215 Hersteller : Nexperia pmbta06.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PMBTA06,215 PMBTA06,215 Hersteller : Nexperia PMBTA06-2938665.pdf Bipolar Transistors - BJT PMBTA06/SOT23/TO-236AB
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9000+ 0.049 EUR
99000+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 108
PMBTA06,215 PMBTA06,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PMBTA06.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
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151+ 0.17 EUR
500+ 0.14 EUR
1000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 53
PMBTA06,215 PMBTA06,215 Hersteller : NEXPERIA 669899.pdf Description: NEXPERIA - PMBTA06,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 14160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PMBTA06,215 PMBTA06,215 Hersteller : NEXPERIA 669899.pdf Description: NEXPERIA - PMBTA06,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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