PMH600UNEH Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 800MA DFN0606-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta), 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0606-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 34+ | 0.78 EUR |
| 40+ | 0.66 EUR |
| 48+ | 0.55 EUR |
| 100+ | 0.35 EUR |
| 250+ | 0.27 EUR |
| 500+ | 0.23 EUR |
| 1000+ | 0.16 EUR |
| 2500+ | 0.14 EUR |
| 5000+ | 0.12 EUR |
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Technische Details PMH600UNEH Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMH600UNEH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.47 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 370mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370mW, Bauform - Transistor: DFN0606, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.47ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm.
Weitere Produktangebote PMH600UNEH nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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PMH600UNEH | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PMH600UNE/SOT8001/DFN0606-3 |
auf Bestellung 34611 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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PMH600UNEH | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMH600UNEH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.47 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: DFN0606 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm |
auf Bestellung 2511 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMH600UNEH | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMH600UNEH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.47 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 370mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: DFN0606 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.47ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm |
auf Bestellung 2511 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMH600UNEH | Hersteller : NEXPERIA |
20 V, N-channel Trench MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| PMH600UNEH | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 3.2A Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Technology: Trench Pulsed drain current: 3.2A Gate-source voltage: ±8V Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 20V Drain current: 500mA On-state resistance: 1Ω Gate charge: 310pC Case: DFN0606-3; SOT8001 Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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PMH600UNEH | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 800MA DFN0606-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta), 2.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN0606-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V |
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| PMH600UNEH | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 3.2A Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Technology: Trench Pulsed drain current: 3.2A Gate-source voltage: ±8V Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 20V Drain current: 500mA On-state resistance: 1Ω Gate charge: 310pC Case: DFN0606-3; SOT8001 Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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