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Technische Details PMH600UNEH Nexperia
Description: NEXPERIA - PMH600UNEH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.47 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 370mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370mW, Bauform - Transistor: DFN0606, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.47ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PMH600UNEH
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PMH600UNEH | Hersteller : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PMH600UNEH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.47 ohm, DFN0606, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: DFN0606 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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PMH600UNEH | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMH600UNEH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.47 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 370mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: DFN0606 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.47ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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| PMH600UNEH | Hersteller : NEXPERIA |
20 V, N-channel Trench MOSFET |
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PMH600UNEH | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 800MA DFN0606-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta), 2.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN0606-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PMH600UNEH | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 800MA DFN0606-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta), 2.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN0606-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V |
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