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PMH850UPEH

PMH850UPEH Nexperia

PMH850UPE-1839878.pdf Hersteller: Nexperia
MOSFET PMH850UPE/SOT8001/DFN0606-3
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Technische Details PMH850UPEH Nexperia

Description: NEXPERIA - PMH850UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.85 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: DFN0606, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PMH850UPEH PMH850UPEH Hersteller : NEXPERIA PMH850UPE.pdf Description: NEXPERIA - PMH850UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.85 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
auf Bestellung 4615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PMH850UPEH PMH850UPEH Hersteller : NEXPERIA Description: NEXPERIA - PMH850UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.85 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
auf Bestellung 4715 Stücke:
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PMH850UPEH Hersteller : Nexperia USA Inc. Description: MOSFET P-CH 30V 600MA DFN0606-3
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PMH850UPEH Hersteller : Nexperia USA Inc. Description: MOSFET P-CH 30V 600MA DFN0606-3
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