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PMH850UPEH

PMH850UPEH Nexperia USA Inc.

PMH850UPE.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 600MA DFN0606-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN0606-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 2.23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62.2 pF @ 15 V
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Technische Details PMH850UPEH Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMH850UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.85 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: DFN0606, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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PMH850UPEH PMH850UPEH NEXPERIA PMH850UPE.pdf Description: NEXPERIA - PMH850UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.85 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PMH850UPEH PMH850UPEH NEXPERIA PMH850UPE.pdf Description: NEXPERIA - PMH850UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.85 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMH850UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.85 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Bauform - Transistor: DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kanaltyp: p-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
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Description: NEXPERIA - PMH850UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.85 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
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