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Technische Details PMZB290UNE2YL Nexperia
Description: NEXPERIA - PMZB290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 350mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-883B, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote PMZB290UNE2YL nach Preis ab 0.05 EUR bis 0.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||||
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PMZB290UNE2YL | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R |
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PMZB290UNE2YL | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMZB290UNE2YL | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMZB290UNE2YL | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V |
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PMZB290UNE2YL | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R |
auf Bestellung 28568 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMZB290UNE2YL | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R |
auf Bestellung 28568 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMZB290UNE2YL | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PMZB290UNE2/SOT883B/XQFN3 |
auf Bestellung 143656 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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PMZB290UNE2YL | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V |
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PMZB290UNE2YL | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMZB290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-883B Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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PMZB290UNE2YL | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZB290UNE2YL | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 0.8A; Idm: 4A; 350mW Technology: Trench Mounting: SMD Power dissipation: 0.35W Case: DFN1006B-3; SOT883B Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 1.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 4A Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.8A On-state resistance: 1.19Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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| PMZB290UNE2YL | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 0.8A; Idm: 4A; 350mW Technology: Trench Mounting: SMD Power dissipation: 0.35W Case: DFN1006B-3; SOT883B Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 1.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 4A Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.8A On-state resistance: 1.19Ω Type of transistor: N-MOSFET |
auf Bestellung 7290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMZB290UNE2YL | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |