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PMZB290UNE2YL

PMZB290UNE2YL Nexperia

805725109935373pmzb290une2.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
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Technische Details PMZB290UNE2YL Nexperia

Description: NEXPERIA - PMZB290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-883B, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PMZB290UNE2YL PMZB290UNE2YL Nexperia 805725109935373pmzb290une2.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
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806+0.21 EUR
848+0.2 EUR
1114+0.15 EUR
1593+0.1 EUR
3000+0.096 EUR
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425+0.4 EUR
558+0.3 EUR
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808+0.19 EUR
850+0.18 EUR
1120+0.13 EUR
1616+0.084 EUR
3000+0.082 EUR
6000+0.057 EUR
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PMZB290UNE2YL PMZB290UNE2YL Nexperia USA Inc. PMZB290UNE2.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
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36+0.58 EUR
59+0.36 EUR
82+0.26 EUR
100+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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PMZB290UNE2YL PMZB290UNE2YL Nexperia PMZB290UNE2-2939118.pdf MOSFET PMZB290UNE2/SOT883B/XQFN3
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100+0.19 EUR
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2500+0.1 EUR
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20000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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PMZB290UNE2YL PMZB290UNE2YL NEXPERIA NEXP-S-A0003101005-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMZB290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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PMZB290UNE2YL
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
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50000+0.062 EUR
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auf Bestellung 30000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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PMZB290UNE2YL
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Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
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AnzahlPrivatkunde
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848+0.2 EUR
1114+0.15 EUR
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PMZB290UNE2YL
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Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
auf Bestellung 28568 Stücke:
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567+0.29 EUR
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PMZB290UNE2YL
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
auf Bestellung 9870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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59+0.36 EUR
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Hersteller: Nexperia
MOSFET PMZB290UNE2/SOT883B/XQFN3
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10000+0.083 EUR
20000+0.077 EUR
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PMZB290UNE2YL NEXP-S-A0003101005-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PMZB290UNE2YL
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMZB290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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242+1.04 EUR
351+0.67 EUR
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1000+0.25 EUR
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