Produkte > NEXPERIA > PSMN015-100B,118
PSMN015-100B,118

PSMN015-100B,118 Nexperia

4282685363251502psmn015-100b.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+1.45 EUR
1600+ 1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details PSMN015-100B,118 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN015-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Weitere Produktangebote PSMN015-100B,118 nach Preis ab 1.04 EUR bis 4.86 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Hersteller : Nexperia 4282685363251502psmn015-100b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
66+2.39 EUR
74+ 2.05 EUR
75+ 1.94 EUR
100+ 1.64 EUR
250+ 1.46 EUR
500+ 1.3 EUR
1000+ 1.14 EUR
3000+ 1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 66
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Hersteller : Nexperia 4282685363251502psmn015-100b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
66+2.39 EUR
74+ 2.05 EUR
75+ 1.94 EUR
100+ 1.64 EUR
250+ 1.46 EUR
500+ 1.3 EUR
1000+ 1.14 EUR
3000+ 1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 66
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN015-100B.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 800
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Hersteller : Nexperia PSMN015_100B-1526073.pdf MOSFET PSMN015-100B/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 5695 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+4.81 EUR
13+ 4.03 EUR
100+ 3.25 EUR
250+ 2.73 EUR
500+ 2.7 EUR
800+ 2.2 EUR
2400+ 2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 11
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN015-100B.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+4.86 EUR
10+ 4.04 EUR
100+ 3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 6
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002880972-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN015-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002880972-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN015-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Hersteller : Nexperia 4282685363251502psmn015-100b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Hersteller : NEXPERIA 4282685363251502psmn015-100b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Hersteller : NEXPERIA PSMN015-100B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 300W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Hersteller : NEXPERIA PSMN015-100B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 300W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar