auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 800+ | 1.13 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details PSMN015-100B,118 Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN015-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PSMN015-100B,118 nach Preis ab 1.08 EUR bis 4.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN015-100B,118 | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
PSMN015-100B,118 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 607 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
PSMN015-100B,118 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 607 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
PSMN015-100B,118 | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs PSMN015-100B/SOT404/D2PAK |
auf Bestellung 5183 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
PSMN015-100B,118 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
PSMN015-100B,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN015-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4549 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
|
|
PSMN015-100B,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN015-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4599 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
 |
PSMN015-100B,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
 |
PSMN015-100B,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 300W; D2PAK,SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 75A Power dissipation: 300W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
|
|
PSMN015-100B,118 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
|
|
PSMN015-100B,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 300W; D2PAK,SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 75A Power dissipation: 300W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |