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Technische Details PSMN015-100B,118 Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN015-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PSMN015-100B,118 nach Preis ab 1.37 EUR bis 5.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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PSMN015-100B,118 | Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN015-100B,118 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 347 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN015-100B,118 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 347 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN015-100B,118 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN015-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4599 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN015-100B,118 | Nexperia |
MOSFETs PSMN015-100B/SOT404/D2PAK |
auf Bestellung 5183 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN015-100B,118 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN015-100B,118 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN015-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4549 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN015-100B,118 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 139+ | 1.52 EUR |
| PSMN015-100B,118 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 95+ | 1.89 EUR |
| 108+ | 1.56 EUR |
| 250+ | 1.37 EUR |
| PSMN015-100B,118 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 95+ | 1.89 EUR |
| PSMN015-100B,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN015-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PSMN015-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4599 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.7 EUR |
| 250+ | 2.65 EUR |
| PSMN015-100B,118 |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs PSMN015-100B/SOT404/D2PAK
MOSFETs PSMN015-100B/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 5183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.36 EUR |
| 10+ | 3 EUR |
| 100+ | 2.14 EUR |
| 800+ | 1.71 EUR |
| PSMN015-100B,118 |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 5.13 EUR |
| PSMN015-100B,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN015-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PSMN015-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 46+ | 5.55 EUR |
| 65+ | 3.62 EUR |
| 75+ | 2.87 EUR |
| 100+ | 2.38 EUR |
| 250+ | 2.33 EUR |