PSMN7R8-100PSEQ Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7110 pF @ 50 V
auf Bestellung 2948 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3+ | 9.33 EUR |
| 10+ | 7.84 EUR |
| 100+ | 6.34 EUR |
| 500+ | 5.64 EUR |
| 1000+ | 4.83 EUR |
| 2000+ | 4.55 EUR |
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Technische Details PSMN7R8-100PSEQ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN7R8-100PSEQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0078 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote PSMN7R8-100PSEQ
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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PSMN7R8-100PSEQ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN7R8-100PSEQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0078 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 7492 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN7R8-100PSEQ | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMN7R8-100PSEQ | Hersteller : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 83A; Idm: 473A; 294W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 83A Pulsed drain current: 473A Power dissipation: 294W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 128nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMN7R8-100PSEQ | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PSMN7R8-100PSE/SOT78/SIL3P |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMN7R8-100PSEQ | Hersteller : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 83A; Idm: 473A; 294W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 83A Pulsed drain current: 473A Power dissipation: 294W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 128nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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