PSMN7R8-100PSEQ NEXPERIA
Hersteller: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R8-100PSEQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0078 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Technische Details PSMN7R8-100PSEQ NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN7R8-100PSEQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0078 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7110 pF @ 50 V |
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