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PT5529B/L2-F

PT5529B/L2-F Everlight Electronics

574pt5529b-l2-f.pdf.pdf Hersteller: Everlight Electronics
Phototransistor IR Chip Silicon 940nm 3-Pin Bag
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Technische Details PT5529B/L2-F Everlight Electronics

Description: SENSOR PHOTO 940NM SIDE VIEW RAD, Packaging: Bulk, Package / Case: Radial - 3 Leads, Wavelength: 940nm, Mounting Type: Through Hole, Orientation: Side View, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C, Current - Dark (Id) (Max): 100 nA, Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PT5529B/L2-F PT5529B/L2-F Hersteller : Everlight Electronics CO., LTD dpt-0000156.pdf Phototransistor IR Chip Silicon 940nm 3-Pin Bag
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PT5529B/L2-F Hersteller : EVERLIGHT index.php?controller=attachment&id_attachment=5341 PT5529B/L2-F Phototransistors
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PT5529B/L2-F PT5529B/L2-F Hersteller : Everlight Electronics Co Ltd index.php?controller=attachment&id_attachment=5341 Description: SENSOR PHOTO 940NM SIDE VIEW RAD
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial - 3 Leads
Wavelength: 940nm
Mounting Type: Through Hole
Orientation: Side View
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Dark (Id) (Max): 100 nA
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
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PT5529B/L2-F Hersteller : Everlight PT5529B-L2-F-1663252.pdf Phototransistors IR Phototransistor
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