PT5529B/L2-F Everlight Electronics
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Technische Details PT5529B/L2-F Everlight Electronics
Category: Phototransistors, Description: Phototransistor; Dim: 2.8x4.8x4.5mm; λp max: 940nm; 30V, Mounting: THT, Type of photoelement: phototransistor, Collector-emitter voltage: 30V, Wavelength of peak sensitivity: 940nm, Dark current: 0.1µA, Dimensions: 2.8x4.8x4.5mm, LED lens: black, Front: flat, Anzahl je Verpackung: 5 Stücke.
Weitere Produktangebote PT5529B/L2-F
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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PT5529B/L2-F | Hersteller : Everlight Electronics CO., LTD |
 Phototransistor IR Chip Silicon 940nm 3-Pin Bag |
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| PT5529B/L2-F | Hersteller : EVERLIGHT |
Category: Phototransistors Description: Phototransistor; Dim: 2.8x4.8x4.5mm; λp max: 940nm; 30V Mounting: THT Type of photoelement: phototransistor Collector-emitter voltage: 30V Wavelength of peak sensitivity: 940nm Dark current: 0.1µA Dimensions: 2.8x4.8x4.5mm LED lens: black Front: flat Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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PT5529B/L2-F | Hersteller : Everlight Electronics Co Ltd |
Description: SENSOR PHOTO 940NM SIDE VIEW RAD Packaging: Bulk Package / Case: Radial - 3 Leads Wavelength: 940nm Mounting Type: Through Hole Orientation: Side View Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Current - Dark (Id) (Max): 100 nA Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V |
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| PT5529B/L2-F | Hersteller : Everlight |
Phototransistors IR Phototransistor |
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| PT5529B/L2-F | Hersteller : EVERLIGHT |
Category: Phototransistors Description: Phototransistor; Dim: 2.8x4.8x4.5mm; λp max: 940nm; 30V Mounting: THT Type of photoelement: phototransistor Collector-emitter voltage: 30V Wavelength of peak sensitivity: 940nm Dark current: 0.1µA Dimensions: 2.8x4.8x4.5mm LED lens: black Front: flat |
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