PT5529B/L2-F
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Technische Details PT5529B/L2-F
Description: SENSOR PHOTO 940NM SIDE VIEW RAD, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Orientation: Side View, Mounting Type: Through Hole, Wavelength: 940nm, Current - Dark (Id) (Max): 100nA, Current - Collector (Ic) (Max): 20mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Part Status: Active, Packaging: Bulk, Package / Case: Radial - 3 Leads.
Preis PT5529B/L2-F ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Everlight Electronics Phototransistor IR Chip Silicon 940nm 3-Pin Bag 
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PT5529B/L2-F Hersteller: EVERLIGHT Material: PT5529B/L2-F Phototransistors
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PT5529B/L2-F Hersteller: Everlight Phototransistors IR Phototransistor
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 Hersteller: Everlight Electronics Co Ltd Description: SENSOR PHOTO 940NM SIDE VIEW RAD Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Orientation: Side View Mounting Type: Through Hole Wavelength: 940nm Current - Dark (Id) (Max): 100nA Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Part Status: Active Packaging: Bulk Package / Case: Radial - 3 Leads
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