PT5529B/L2-F

PT5529B/L2-F

Hersteller: EVERLIGHT
Material: PT5529B/L2-F Phototransistors
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Technische Details PT5529B/L2-F

Description: SENSOR PHOTO 940NM SIDE VIEW RAD, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Orientation: Side View, Mounting Type: Through Hole, Wavelength: 940nm, Current - Dark (Id) (Max): 100nA, Current - Collector (Ic) (Max): 20mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Part Status: Active, Packaging: Bulk, Package / Case: Radial - 3 Leads.

Preis PT5529B/L2-F ab 0 EUR bis 0 EUR

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Hersteller: Everlight Electronics
Phototransistor IR Chip Silicon 940nm 3-Pin Bag
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Hersteller: EVERLIGHT
Material: PT5529B/L2-F Phototransistors
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Hersteller: Everlight
Phototransistors IR Phototransistor
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PT5529B/L2-F
Hersteller: Everlight Electronics Co Ltd
Description: SENSOR PHOTO 940NM SIDE VIEW RAD
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Orientation: Side View
Mounting Type: Through Hole
Wavelength: 940nm
Current - Dark (Id) (Max): 100nA
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial - 3 Leads
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