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PT5529B/L2-F

PT5529B/L2-F Everlight Electronics

574pt5529b-l2-f.pdf.pdf Hersteller: Everlight Electronics
Phototransistor IR Chip Silicon 940nm 3-Pin Bag
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Technische Details PT5529B/L2-F Everlight Electronics

Category: Phototransistors, Description: Phototransistor; Dim: 2.8x4.8x4.5mm; λp max: 940nm; 30V, Type of photoelement: phototransistor, Dimensions: 2.8x4.8x4.5mm, Wavelength of peak sensitivity: 940nm, Collector-emitter voltage: 30V, LED lens: black, Mounting: THT, Dark current: 0.1µA, Front: flat, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PT5529B/L2-F PT5529B/L2-F Hersteller : Everlight Electronics CO., LTD dpt-0000156.pdf Phototransistor IR Chip Silicon 940nm 3-Pin Bag
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PT5529B/L2-F Hersteller : EVERLIGHT PT5529B-L2-F.PDF Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; Dim: 2.8x4.8x4.5mm; λp max: 940nm; 30V
Type of photoelement: phototransistor
Dimensions: 2.8x4.8x4.5mm
Wavelength of peak sensitivity: 940nm
Collector-emitter voltage: 30V
LED lens: black
Mounting: THT
Dark current: 0.1µA
Front: flat
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PT5529B/L2-F PT5529B/L2-F Hersteller : Everlight Electronics Co Ltd index.php?controller=attachment&id_attachment=5341 Description: SENSOR PHOTO 940NM SIDE VIEW RAD
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial - 3 Leads
Wavelength: 940nm
Mounting Type: Through Hole
Orientation: Side View
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Dark (Id) (Max): 100 nA
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
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PT5529B/L2-F Hersteller : Everlight PT5529B-L2-F-1663252.pdf Phototransistors IR Phototransistor
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PT5529B/L2-F Hersteller : EVERLIGHT PT5529B-L2-F.PDF Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; Dim: 2.8x4.8x4.5mm; λp max: 940nm; 30V
Type of photoelement: phototransistor
Dimensions: 2.8x4.8x4.5mm
Wavelength of peak sensitivity: 940nm
Collector-emitter voltage: 30V
LED lens: black
Mounting: THT
Dark current: 0.1µA
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