Produkte > NEXPERIA USA INC. > PXN4R7-30QLJ
PXN4R7-30QLJ

PXN4R7-30QLJ Nexperia USA Inc.


PXN4R7-30QL.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PXN4R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.62 EUR
6000+ 0.59 EUR
9000+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details PXN4R7-30QLJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PXN4R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0039 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote PXN4R7-30QLJ nach Preis ab 0.59 EUR bis 1.64 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
PXN4R7-30QLJ PXN4R7-30QLJ Hersteller : Nexperia PXN4R7_30QL-2394553.pdf MOSFET PXN4R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
auf Bestellung 5496 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
33+1.62 EUR
37+ 1.44 EUR
100+ 0.99 EUR
500+ 0.82 EUR
1000+ 0.7 EUR
3000+ 0.63 EUR
6000+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 33
PXN4R7-30QLJ PXN4R7-30QLJ Hersteller : Nexperia USA Inc. PXN4R7-30QL.pdf Description: PXN4R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
auf Bestellung 18609 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
16+1.64 EUR
19+ 1.41 EUR
100+ 0.98 EUR
500+ 0.82 EUR
1000+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 16
PXN4R7-30QLJ PXN4R7-30QLJ Hersteller : NEXPERIA PXN4R7-30QL.pdf Description: NEXPERIA - PXN4R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0039 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXN4R7-30QLJ PXN4R7-30QLJ Hersteller : NEXPERIA PXN4R7-30QL.pdf Description: NEXPERIA - PXN4R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0039 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXN4R7-30QLJ Hersteller : NEXPERIA pxn4r7-30ql.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A T/R
Produkt ist nicht verfügbar