PXN4R7-30QLJ Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PXN4R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 74A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details PXN4R7-30QLJ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PXN4R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 3900 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote PXN4R7-30QLJ nach Preis ab 0.54 EUR bis 2.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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PXN4R7-30QLJ | Nexperia |
MOSFETs SOT8002 N-CH 30V 15A |
auf Bestellung 3701 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PXN4R7-30QLJ | Nexperia USA Inc. |
Description: PXN4R7-30QL/SOT8002/MLPAK33 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 74A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: MLPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 42W (Tc) |
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PXN4R7-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN4R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 3900 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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PXN4R7-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN4R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 3900 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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| PXN4R7-30QLJ |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT8002 N-CH 30V 15A
MOSFETs SOT8002 N-CH 30V 15A
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| PXN4R7-30QLJ |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PXN4R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 74A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 42W (Tc)
Description: PXN4R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 74A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 42W (Tc)
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| 10+ | 2.2 EUR |
| 16+ | 1.36 EUR |
| 50+ | 1.01 EUR |
| 100+ | 0.89 EUR |
| PXN4R7-30QLJ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN4R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 3900 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 15A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PXN4R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 3900 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
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MSL: -
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Bauform - Transistor: MLPAK33
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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| PXN4R7-30QLJ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN4R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 3900 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PXN4R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 3900 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 35 Stücke:
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