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RFP12N10L

RFP12N10L ONSEMI

RFP12N10L.pdf Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
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Technische Details RFP12N10L ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 5V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V.

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RFP12N10L RFP12N10L Hersteller : ONSEMI RFP12N10L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
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RFP12N10L RFP12N10L Hersteller : ON Semiconductor rfp12n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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RFP12N10L RFP12N10L Hersteller : ON Semiconductor rfp12n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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RFP12N10L RFP12N10L Hersteller : onsemi rfp12n10l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
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RFP12N10L RFP12N10L Hersteller : onsemi / Fairchild RFP12N10L_D-2319858.pdf MOSFET TO-220AB N-Ch Power
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RFP12N10L Hersteller : ON-Semicoductor rfp12n10l-d.pdf N-MOSFET 12A 100V 60W 0.20Ω RFP12N10L TRFP12N10l
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RFP12N10L RFP12N10L
Produktcode: 86863 		rfp12n10l-d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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RFP12N10L RFP12N10L Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003589596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RFP12N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 60W
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
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