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RFP12N10L

RFP12N10L ON Semiconductor

rfp12n10l-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details RFP12N10L ON Semiconductor

Description: ONSEMI - RFP12N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RFP12N10L RFP12N10L Hersteller : onsemi rfp12n10l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
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RFP12N10L RFP12N10L Hersteller : onsemi / Fairchild rfp12n10l-d.pdf MOSFETs TO-220AB N-Ch Power
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RFP12N10L RFP12N10L Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003589596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RFP12N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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RFP12N10L RFP12N10L Hersteller : ON Semiconductor rfp12n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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RFP12N10L Hersteller : ON-Semiconductor rfp12n10l-d.pdf N-MOSFET 12A 100V 60W 0.20Ω RFP12N10L TRFP12N10l
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RFP12N10L Hersteller : ONSEMI rfp12n10l-d.pdf RFP12N10L THT N channel transistors
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RFP12N10L Hersteller : ON-Semiconductor rfp12n10l-d.pdf N-MOSFET 12A 100V 60W 0.20Ω RFP12N10L TRFP12N10l
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RFP12N10L RFP12N10L
Produktcode: 86863
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