
RFP12N10L ON Semiconductor
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Anzahl | Preis |
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Technische Details RFP12N10L ON Semiconductor
Description: ONSEMI - RFP12N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RFP12N10L nach Preis ab 0.68 EUR bis 2.82 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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RFP12N10L | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RFP12N10L | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 12A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RFP12N10L | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 12A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
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RFP12N10L | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 5V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1983 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RFP12N10L | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 2121 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RFP12N10L | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 824 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RFP12N10L | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1451 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RFP12N10L | Hersteller : ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RFP12N10L | Hersteller : ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RFP12N10L Produktcode: 86863
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