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RFP12N10L ONSEMI

Name: RFP12N10L
Brand: ONSEMI
SKU: 306198-8
Price: 0.93 EUR
Availability: InStock

Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level

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Technische Details RFP12N10L ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 5V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V.

Weitere Produktangebote RFP12N10L nach Preis ab 0.72 EUR bis 2.98 EUR

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Beschreibung

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RFP12N10L

Hersteller : ONSEMI

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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RFP12N10L

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1980 Stücke:

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RFP12N10L

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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RFP12N10L

Hersteller : onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

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RFP12N10L

Hersteller : onsemi / Fairchild

MOSFET TO-220AB N-Ch Power

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2+	1.97 EUR
10+	1.58 EUR
100+	1.25 EUR
500+	1.06 EUR
800+	0.84 EUR

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RFP12N10L

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - RFP12N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm

auf Bestellung 260 Stücke:

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RFP12N10L

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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RFP12N10L

Hersteller : ON-Semicoductor

N-MOSFET 12A 100V 60W 0.20Ω RFP12N10L TRFP12N10l
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

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30+	1.32 EUR

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RFP12N10L

Hersteller : ON-Semicoductor

N-MOSFET 12A 100V 60W 0.20Ω RFP12N10L TRFP12N10l
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
10+	2.98 EUR

Mindestbestellmenge: 10

RFP12N10L
Produktcode: 86863

Transistoren > MOSFET N-CH

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