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RFP12N10L

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Produktcode: 86863
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Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

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Technische Details RFP12N10L

  • MOSFET, N, LOGIC, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Cont Current Id:12A
  • On State Resistance:0.2ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:5V
  • Typ Voltage Vgs th:2V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
  • SVHC:Cobalt dichloride
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:100V
  • Max Voltage Vgs th:2V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:60W
  • Power Dissipation Pd:60W
  • Pulse Current Idm:30A
  • SMD Marking:RFP12N10L
  • SVHC (Additional):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP)
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Weitere Produktangebote RFP12N10L nach Preis ab 0.71 EUR bis 3.36 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RFP12N10L RFP12N10L ON Semiconductor rfp12n10ld.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+0.98 EUR
250+0.9 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
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RFP12N10L RFP12N10L ON Semiconductor rfp12n10ld.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.09 EUR
168+1.01 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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RFP12N10L RFP12N10L ON Semiconductor rfp12n10ld.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.09 EUR
168+1.04 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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RFP12N10L RFP12N10L ON Semiconductor rfp12n10ld.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
490+1.34 EUR
545+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 490 Stücke
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RFP12N10L RFP12N10L ON Semiconductor rfp12n10ld.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
490+1.34 EUR
545+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 490 Stücke
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RFP12N10L RFP12N10L onsemi / Fairchild rfp12n10l-d.pdf description MOSFETs TO-220AB N-Ch Power
auf Bestellung 1255 Stücke:
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2+2.09 EUR
10+1.18 EUR
100+1.15 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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RFP12N10L RFP12N10L ONSEMI RFP12N10L.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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RFP12N10L RFP12N10L onsemi rfp12n10l-d.pdf description Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
auf Bestellung 6021 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.19 EUR
50+1.52 EUR
100+1.36 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.9 EUR
5000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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RFP12N10L RFP12N10L onsemi rfp12n10l-d.pdf description MOSFETs TO-220AB N-Ch Power
auf Bestellung 4483 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.22 EUR
10+1.33 EUR
100+1.2 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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RFP12N10L RFP12N10L ONSEMI ONSM-S-A0003589596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - RFP12N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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RFP12N10L ON-Semiconductor rfp12n10l-d.pdf description N-MOSFET 12A 100V 60W 0.20Ω RFP12N10L TRFP12N10l
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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RFP12N10L ON-Semiconductor rfp12n10l-d.pdf description N-MOSFET 12A 100V 60W 0.20Ω RFP12N10L TRFP12N10l
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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RFP12N10L description rfp12n10ld.pdf
RFP12N10L
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
181+0.98 EUR
250+0.9 EUR
1000+0.86 EUR
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RFP12N10L description rfp12n10ld.pdf
RFP12N10L
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
162+1.09 EUR
168+1.01 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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RFP12N10L description rfp12n10ld.pdf
RFP12N10L
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
162+1.09 EUR
168+1.04 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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RFP12N10L description rfp12n10ld.pdf
RFP12N10L
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
490+1.34 EUR
545+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 490 Stücke
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RFP12N10L description rfp12n10ld.pdf
RFP12N10L
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 598 Stücke:
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RFP12N10L
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs TO-220AB N-Ch Power
auf Bestellung 1255 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+2.09 EUR
10+1.18 EUR
100+1.15 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.98 EUR
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RFP12N10L
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
auf Bestellung 40 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
40+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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RFP12N10L
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
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7+3.19 EUR
50+1.52 EUR
100+1.36 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.9 EUR
5000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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RFP12N10L
Hersteller: onsemi
MOSFETs TO-220AB N-Ch Power
auf Bestellung 4483 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+3.22 EUR
10+1.33 EUR
100+1.2 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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RFP12N10L description ONSM-S-A0003589596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
RFP12N10L
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - RFP12N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 786 Stücke:
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Hersteller: ON-Semiconductor
N-MOSFET 12A 100V 60W 0.20Ω RFP12N10L TRFP12N10l
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
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30+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP12N10L description rfp12n10l-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
N-MOSFET 12A 100V 60W 0.20Ω RFP12N10L TRFP12N10l
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
10+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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