RGL34K-E3/98

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Technische Details RGL34K-E3/98

Description: DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213, Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 800V, Reverse Recovery Time (trr): 250ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 500mA, Current - Average Rectified (Io): 500mA, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Diode Type: Standard, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Supplier Device Package: DO-213AA (GL34), Package / Case: DO-213AA (Glass), Mounting Type: Surface Mount.

Preis RGL34K-E3/98 ab 0 EUR bis 0 EUR

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Hersteller: Vishay
Rectifier Diode Switching 800V 0.5A 250ns 2-Pin DO-213AA T/R
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Hersteller: Vishay
Rectifier Diode Switching 800V 0.5A 250ns 2-Pin DO-213AA T/R
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Hersteller: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
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Hersteller: Vishay
Rectifier Diode Switching 800V 0.5A 250ns 2-Pin DO-213AA T/R
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 800V
Reverse Recovery Time (trr): 250ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 500mA
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
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RGL34K-E3/98
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
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RGL34K-E3/98
RGL34K-E3/98
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
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