RGL34K-E3/98
RGL34K-E3/98
Hersteller:
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
5000 Stücke
5000 Stücke
Technische Details RGL34K-E3/98
Description: DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213, Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 800V, Reverse Recovery Time (trr): 250ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 500mA, Current - Average Rectified (Io): 500mA, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Diode Type: Standard, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Supplier Device Package: DO-213AA (GL34), Package / Case: DO-213AA (Glass), Mounting Type: Surface Mount.
Preis RGL34K-E3/98 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay Rectifier Diode Switching 800V 0.5A 250ns 2-Pin DO-213AA T/R
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
|
RGL34K-E3/98 Hersteller: Vishay Rectifier Diode Switching 800V 0.5A 250ns 2-Pin DO-213AA T/R
|
auf Bestellung 40 Stücke  Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
 Hersteller: Vishay General Semiconductor Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
|
auf Bestellung 16460 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|
|
RGL34K-E3/98 Hersteller: Vishay Rectifier Diode Switching 800V 0.5A 250ns 2-Pin DO-213AA T/R
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
 Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213 Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 800V Reverse Recovery Time (trr): 250ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 500mA Current - Average Rectified (Io): 500mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V Diode Type: Standard Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount
|
auf Bestellung 5095 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|
 Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Current - Average Rectified (Io): 500mA Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Diode Type: Standard Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AA (Glass) Packaging: Cut Tape (CT)
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
|
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213 Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Current - Average Rectified (Io): 500mA Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Diode Type: Standard Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AA (Glass)
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|